图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 连续漏极电流 | 12 A |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 功率耗散 | 55 W |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | DPAK |
| 封装 | Tape and Reel |
| 引脚数 | 2 +Tab |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 弧度硬化 | No |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | * |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商设备封装 | * |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 180 mOhm @ 6A, 10V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 55W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 12A (Ta) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 750pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 30nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 60 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| Qg - Gate Charge | 15 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 零件号别名 | SVD2955T4G |
| 下降时间 | 48 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| Id - Continuous Drain Current | - 12 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 155 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 系列 | NTD2955 |
| 典型导通延迟时间 | 10 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 55 W |
| 上升时间 | 45 ns |
| 技术 | Si |
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